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IXTH12N100

IXTH12N100

IXTH12N100

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

compliant

IXTH12N100 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $12.50600 $375.18
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IPU60R950C6BKMA1
NOCATSTYPE
NOCATSTYPE
$0 $/pedaço
IRFR4104TR
DMP57D5UFB-7
IRLBA3803P
IRF840ASTRR
IRF840ASTRR
$0 $/pedaço
RDX080N50FU6
RDX080N50FU6
$0 $/pedaço
IRFR18N15DPBF

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