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IPP65R155CFD7XKSA1

IPP65R155CFD7XKSA1

IPP65R155CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

compliant

IPP65R155CFD7XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.87000 $4.87
500 $4.8213 $2410.65
1000 $4.7726 $4772.6
1500 $4.7239 $7085.85
2000 $4.6752 $9350.4
2500 $4.6265 $11566.25
494 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 155mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 320µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1283 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 77W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDMS8570S
FDA38N30
FDA38N30
$0 $/pedaço
SI7121DN-T1-GE3
SI4455DY-T1-E3
SI4455DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFR2607ZTRPBF
NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G
$0 $/pedaço
FQPF9N25CT
IXTA130N15X4-7
IXTA130N15X4-7
$0 $/pedaço
SIA485DJ-T1-GE3

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