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IPI147N12N3GAKSA1

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MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3

compliant

IPI147N12N3GAKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $1.02852 $514.26
14155 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 56A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.7mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 61µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3220 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 107W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IRFZ10PBF
IRFZ10PBF
$0 $/pedaço
FDP6676
FDP6676
$0 $/pedaço
PMV27UPER
PMV27UPER
$0 $/pedaço
TN0104N3-G-P003
STW15NM60ND
STW15NM60ND
$0 $/pedaço
NTMFS5C404NLT3G
NTMFS5C404NLT3G
$0 $/pedaço
STD2NK60Z-1
STD2NK60Z-1
$0 $/pedaço

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