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FDP6676

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDP6676 Ficha de dados

não conforme

FDP6676 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
20082 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 84A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5324 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 93W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

PMV27UPER
PMV27UPER
$0 $/pedaço
TN0104N3-G-P003
STW15NM60ND
STW15NM60ND
$0 $/pedaço
NTMFS5C404NLT3G
NTMFS5C404NLT3G
$0 $/pedaço
STD2NK60Z-1
STD2NK60Z-1
$0 $/pedaço
IRF720PBF-BE3
IRF720PBF-BE3
$0 $/pedaço
IRFB7430PBF
IRFR5305TRLPBF

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