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IPD80R2K8CEBTMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

não conforme

IPD80R2K8CEBTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.39861 -
5,000 $0.38107 -
12,500 $0.36853 -
25,000 $0.35850 -
62,500 $0.34847 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 120µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 290 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRLS3034-7PPBF
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/pedaço
FDMS86568-F085
FDMS86568-F085
$0 $/pedaço
NTDV6414ANT4G
NTDV6414ANT4G
$0 $/pedaço
IRFSL4310ZPBF
SI7866ADP-T1-E3
SI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3
$0 $/pedaço

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