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SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

não conforme

SI3434DV-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 600mV @ 1mA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.14W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

SI3879DV-T1-E3
SI3879DV-T1-E3
$0 $/pedaço
RFP4N100
RFP4N100
$0 $/pedaço
R6035ENZC8
R6035ENZC8
$0 $/pedaço
NVMFS6B14NLT1G
NVMFS6B14NLT1G
$0 $/pedaço
PMV20XNE215
PMV20XNE215
$0 $/pedaço

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