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IPD650P06NMATMA1

IPD650P06NMATMA1

IPD650P06NMATMA1

MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3

compliant

IPD650P06NMATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.93000 $1.93
500 $1.9107 $955.35
1000 $1.8914 $1891.4
1500 $1.8721 $2808.15
2000 $1.8528 $3705.6
2500 $1.8335 $4583.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1.04mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-313
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

NTE2392
NTE2392
$0 $/pedaço
IXTB62N50L
IXTB62N50L
$0 $/pedaço
APT28M120L
APT28M120L
$0 $/pedaço
IXTP05N100M
IXTP05N100M
$0 $/pedaço
AUIRLR2703TRL
FQPF8N60CFT
FQPF8N60CFT
$0 $/pedaço
SIS427EDN-T1-GE3
SQJQ144AER-T1_GE3

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