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IPD60R180C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3

não conforme

IPD60R180C7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.34779 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 260µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1080 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXFP76N15T2
IXFP76N15T2
$0 $/pedaço
APT10021JLL
NDT451AN
NDT451AN
$0 $/pedaço
IRLR024PBF
IRLR024PBF
$0 $/pedaço
NTE67
NTE67
$0 $/pedaço
NTMJS0D7N03CGTWG
NTMJS0D7N03CGTWG
$0 $/pedaço
NVTFS003N04CTAG
NVTFS003N04CTAG
$0 $/pedaço
AUIRFS3206TRL
SIHG050N60E-GE3
HUF76419S3ST

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