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SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC

não conforme

SIHG050N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $11.20000 $11.2
10 $10.12000 $101.2
100 $8.39060 $839.06
500 $7.09366 $3546.83
1,000 $6.22905 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 51A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3459 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

HUF76419S3ST
IPP055N03LGXKSA1
PMZ290UNEYL
PMZ290UNEYL
$0 $/pedaço
IPD04N03LB G
IXFQ50N50P3
IXFQ50N50P3
$0 $/pedaço
BSC016N06NSATMA1
BUK7107-55AIE,118
CSD19506KCS
CSD19506KCS
$0 $/pedaço

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