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IPD50N04S4L08ATMA1

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IPD50N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

não conforme

IPD50N04S4L08ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.33272 -
5,000 $0.30977 -
12,500 $0.29830 -
25,000 $0.29204 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 17µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2340 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 46W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-313
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

BUK7905-40AI,127
IRF200P222
HUF75645S3ST_Q
RM7N600LD
RM7N600LD
$0 $/pedaço
IXTA24P085T
IXTA24P085T
$0 $/pedaço
UJ4SC075009K4S
UJ4SC075009K4S
$0 $/pedaço
R6004ENDTL
R6004ENDTL
$0 $/pedaço
NTTD4401FR2G
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$0 $/pedaço

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