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IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

IPB80N03S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

compliant

IPB80N03S4L02ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.88794 -
15835 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9750 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 136W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

R6004ENDTL
R6004ENDTL
$0 $/pedaço
NTTD4401FR2G
NTTD4401FR2G
$0 $/pedaço
BUK7535-55A,127
BUK7535-55A,127
$0 $/pedaço
NDD03N50ZT4G
NDD03N50ZT4G
$0 $/pedaço
FDMS030N06B
FDMS030N06B
$0 $/pedaço
IRFZ20PBF-BE3
IRFZ20PBF-BE3
$0 $/pedaço
SI9435BDY-T1-E3
TN5325K1-G
TN5325K1-G
$0 $/pedaço

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