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IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

compliant

IPD30N03S4L14ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.31836 -
5,000 $0.29641 -
12,500 $0.28543 -
25,000 $0.27944 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 10µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 980 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

ZXMN20B28KTC
BSC0502NSIATMA1
RM50P30DF
RM50P30DF
$0 $/pedaço
APT5018BFLLG
FDP2532
FDP2532
$0 $/pedaço
ZVN4210A
ZVN4210A
$0 $/pedaço
DMG8880LK3-13
ZXMN10B08E6TA

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