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DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

DMG8880LK3-13

MOSFET N-CH 30V 11A TO252

não conforme

DMG8880LK3-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.34105 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1289 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.68W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

ZXMN10B08E6TA
DMP2075UVT-13
APT50M65LFLLG
UJ4C075033K4S
UJ4C075033K4S
$0 $/pedaço
STD90N03L
STD90N03L
$0 $/pedaço
DMN3016LSS-13
STW28NM50N
STW28NM50N
$0 $/pedaço
STW12N120K5
STW12N120K5
$0 $/pedaço
BSP297H6327XTSA1

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