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IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

compliant

IPD30N03S4L09ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.34308 -
5,000 $0.31942 -
12,500 $0.30759 -
25,000 $0.30114 -
27496 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 13µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1520 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

C3M0025065D
C3M0025065D
$0 $/pedaço
SCT4026DEC11
SCT4026DEC11
$0 $/pedaço
DMN61D8L-13
DMN61D8L-13
$0 $/pedaço
MMFTN3402
MMFTN3402
$0 $/pedaço
PSMN2R0-60ES,127
SIDR608EP-T1-RE3
DMN66D0LT-7
DMN66D0LT-7
$0 $/pedaço

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