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IPD100N04S402ATMA1

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IPD100N04S402ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3

não conforme

IPD100N04S402ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.91580 -
5,000 $0.88188 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 95µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 118 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9430 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-313
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

BUK966R5-60E,118
CSD22204WT
CSD22204WT
$0 $/pedaço
BUK7J1R4-40HX
BUK7J1R4-40HX
$0 $/pedaço
RQ5C060BCTCL
RQ5C060BCTCL
$0 $/pedaço
SIDR610DP-T1-RE3
IXFR24N90P
IXFR24N90P
$0 $/pedaço
AUIRFR9024N

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