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IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S407ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.58530 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPP086N10N3G
IRFR220NTRRPBF
FDB2552-F085
FDB2552-F085
$0 $/pedaço
STB30NM60ND
STB30NM60ND
$0 $/pedaço
SPP07N65C3HKSA1
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/pedaço
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/pedaço
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/pedaço

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