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STB30NM60ND

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STB30NM60ND

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

compliant

STB30NM60ND Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $5.14553 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SPP07N65C3HKSA1
SPP16N50C3
US5U29TR
US5U29TR
$0 $/pedaço
NTF3055L108T3G
NTF3055L108T3G
$0 $/pedaço
NVD6415ANT4G-VF01
NVD6415ANT4G-VF01
$0 $/pedaço
FQU6N40CTU
GKI10194
GKI10194
$0 $/pedaço
FQPF7N40
SSM1N45BTF
SSM1N45BTF
$0 $/pedaço

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