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IPB80N04S306ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

compliant

IPB80N04S306ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.70967 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 52µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

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