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IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

compliant

IPD068P03L3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.48125 -
5,000 $0.45719 -
12,500 $0.44000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.8mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 150µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7720 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

BUK764R0-55B,118
SQJQ141EL-T1_GE3
FDMS2508SDC
BUK624R5-30C,118
BUK624R5-30C,118
$0 $/pedaço
SIHG20N50E-GE3
SIHG20N50E-GE3
$0 $/pedaço
IRFR220TRPBF
IRFR220TRPBF
$0 $/pedaço
RM15N650TI
RM15N650TI
$0 $/pedaço

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