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IPB80N03S4L03ATMA1

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IPB80N03S4L03ATMA1

MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

não conforme

IPB80N03S4L03ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.72749 -
2,000 $0.67899 -
5,000 $0.64504 -
10,000 $0.62079 -
21035 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 45µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDU6696
FDU6696
$0 $/pedaço
NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H
$0 $/pedaço
IPI65R380C6XKSA1
STB21NM60ND
STB21NM60ND
$0 $/pedaço
FDPF12N50T
FDPF12N50T
$0 $/pedaço
STN3N45K3
STN3N45K3
$0 $/pedaço
FQU1N60CTU
FQU1N60CTU
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IXTX20N150
IXTX20N150
$0 $/pedaço

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