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IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3

compliant

IPI65R380C6XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $1.36156 $680.78
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 320µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 710 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

STB21NM60ND
STB21NM60ND
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FDPF12N50T
FDPF12N50T
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STN3N45K3
STN3N45K3
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FQU1N60CTU
FQU1N60CTU
$0 $/pedaço
IXTX20N150
IXTX20N150
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STP15NK50Z
STP15NK50Z
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NTD23N03R-1G
NTD23N03R-1G
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RSC002P03T316

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