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IPB65R045C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

não conforme

IPB65R045C7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $7.76328 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 46A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1.25mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4340 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRL620STRR
IRL620STRR
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NVMFS6B05NWFT3G
NVMFS6B05NWFT3G
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SIHS36N50D-E3
SIHS36N50D-E3
$0 $/pedaço
STP5N62K3
STP5N62K3
$0 $/pedaço
IRLW510ATM
IRLW510ATM
$0 $/pedaço
IRL2505STRRPBF
FDB8878
FDB8878
$0 $/pedaço
IXTA80N10T7
IXTA80N10T7
$0 $/pedaço
IPD03N03LB G

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