Welcome to ichome.com!
Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 620 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 4.2A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 1.6Ohm @ 2.1A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 4.5V @ 50µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 26 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±30V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 680 pF @ 50 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 70W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | TO-220 |
pacote / caixa | TO-220-3 |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.