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IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

compliant

IPB530N15N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.79662 -
1950 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 53mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 35µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 887 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STV160NF03LT4
NTB23N03RT4
NTB23N03RT4
$0 $/pedaço
FDB52N20TM
FDB52N20TM
$0 $/pedaço
NTE2376
NTE2376
$0 $/pedaço
SKI04044
SKI04044
$0 $/pedaço
STWA65N65DM2AG
SI6467DQ
FDPF4D5N10C
FDPF4D5N10C
$0 $/pedaço
SQJ464EP-T1_BE3

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