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STWA65N65DM2AG

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MOSFET N-CH 650V 60A TO247

não conforme

STWA65N65DM2AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $11.80000 $11.8
500 $11.682 $5841
1000 $11.564 $11564
1500 $11.446 $17169
2000 $11.328 $22656
2500 $11.21 $28025
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5500 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 446W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 Long Leads
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SI6467DQ
FDPF4D5N10C
FDPF4D5N10C
$0 $/pedaço
SQJ464EP-T1_BE3
IPP08CNE8NG
STH270N4F3-2
STH270N4F3-2
$0 $/pedaço
APT18M100S
APT18M100S
$0 $/pedaço
IXFB210N20P
IXFB210N20P
$0 $/pedaço
IRL630PBF
IRL630PBF
$0 $/pedaço

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