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IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

compliant

IPB180N04S4LH0ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.86894 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 180µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 24440 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7-3
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

FQB16N25CTM
SI7450DP-T1-GE3
BUK7905-40AIE,127
FQA11N90
FDU7030BL
SQJA20EP-T1_GE3
STD7NK40ZT4
STD7NK40ZT4
$0 $/pedaço
STL12P6F6
STL12P6F6
$0 $/pedaço

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