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SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8

compliant

SQJA20EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.57400 -
6,000 $0.54705 -
15,000 $0.52780 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STD7NK40ZT4
STD7NK40ZT4
$0 $/pedaço
STL12P6F6
STL12P6F6
$0 $/pedaço
SQM50034E_GE3
SQM50034E_GE3
$0 $/pedaço
STD2NK90Z-1
STD2NK90Z-1
$0 $/pedaço
APT26M100JCU2
DMNH6012LK3Q-13
NTA4001NT1G
NTA4001NT1G
$0 $/pedaço

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