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IPB037N06N3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

não conforme

IPB037N06N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.81744 -
2,000 $0.76107 -
5,000 $0.73288 -
10,000 $0.71750 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

RD3T050CNTL1
RD3T050CNTL1
$0 $/pedaço
IPA80R1K4P7XKSA1
R6004KNJTL
R6004KNJTL
$0 $/pedaço
FKV550T
FKV550T
$0 $/pedaço
DMPH4011SK3-13
APT6010B2LLG
BTS129NKSA1
SUD50P04-08-GE3

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