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IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F

não conforme

IPA80R1K4P7XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.52000 $1.52
10 $1.35400 $13.54
100 $1.08510 $108.51
500 $0.85750 $428.75
1,000 $0.69203 -
480 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 700µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 250 pF @ 500 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 24W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3-31
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

R6004KNJTL
R6004KNJTL
$0 $/pedaço
FKV550T
FKV550T
$0 $/pedaço
DMPH4011SK3-13
APT6010B2LLG
BTS129NKSA1
SUD50P04-08-GE3
SUD50P10-43L-GE3

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