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IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R260M1HXTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.40000 $7.4
500 $7.326 $3663
1000 $7.252 $7252
1500 $7.178 $10767
2000 $7.104 $14208
2500 $7.03 $17575
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto -
tecnologia -
tensão de dreno para fonte (vdss) -
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem -
pacote de dispositivo do fornecedor -
pacote / caixa -
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Número da peça relacionada

DMTH6012LPSW-13
NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/pedaço
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/pedaço
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/pedaço
FDC697P
FDC697P
$0 $/pedaço
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/pedaço
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3

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