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IAUC60N04S6N044ATMA1

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compliant

IAUC60N04S6N044ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 14µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1042 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 42W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SI1012CR-T1-GE3
HUF75542S3S
STP4N80K5
STP4N80K5
$0 $/pedaço
MSC750SMA170S
IPP65R095C7XKSA1
RM47N600T7
RM47N600T7
$0 $/pedaço
R6011ENX
R6011ENX
$0 $/pedaço
IRFH5301TRPBF
IRF6614TRPBF

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