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SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V SC75A

compliant

SI1012CR-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.11440 -
6,000 $0.10835 -
15,000 $0.09928 -
30,000 $0.09323 -
75,000 $0.08415 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 630mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 396mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 43 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 240mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-75A
pacote / caixa SC-75, SOT-416
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Número da peça relacionada

HUF75542S3S
STP4N80K5
STP4N80K5
$0 $/pedaço
MSC750SMA170S
IPP65R095C7XKSA1
RM47N600T7
RM47N600T7
$0 $/pedaço
R6011ENX
R6011ENX
$0 $/pedaço
IRFH5301TRPBF
IRF6614TRPBF
SI1317DL-T1-BE3

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