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BSZ0911LSATMA1

BSZ0911LSATMA1

BSZ0911LSATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

compliant

BSZ0911LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8 FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRF7453TRPBF
SI5463EDC-T1-GE3
FQD5P20TM_F080
FQD5P20TM_F080
$0 $/pedaço
SIE862DF-T1-GE3
IRFU220N
IRFU220N
$0 $/pedaço
IRL520NL
IRL520NL
$0 $/pedaço
RSR020P05TL
RSR020P05TL
$0 $/pedaço
IXFT26N60Q
IXFT26N60Q
$0 $/pedaço

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