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SIE862DF-T1-GE3

SIE862DF-T1-GE3

SIE862DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK

compliant

SIE862DF-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3100 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 10-PolarPAK® (U)
pacote / caixa 10-PolarPAK® (U)
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Número da peça relacionada

IRFU220N
IRFU220N
$0 $/pedaço
IRL520NL
IRL520NL
$0 $/pedaço
RSR020P05TL
RSR020P05TL
$0 $/pedaço
IXFT26N60Q
IXFT26N60Q
$0 $/pedaço
SI4823DY-T1-E3
SI4823DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IXFT30N50
IXFT30N50
$0 $/pedaço
PHB95NQ04LT,118
PHB95NQ04LT,118
$0 $/pedaço
FQD5N60CTM_F080
FQD5N60CTM_F080
$0 $/pedaço
IRFS11N50ATRR
IRFS11N50ATRR
$0 $/pedaço
BUK7908-40AIE,127

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