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BSZ011NE2LS5IATMA1

BSZ011NE2LS5IATMA1

BSZ011NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON

SOT-23

não conforme

BSZ011NE2LS5IATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.19000 $3.19
500 $3.1581 $1579.05
1000 $3.1262 $3126.2
1500 $3.0943 $4641.45
2000 $3.0624 $6124.8
2500 $3.0305 $7576.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 12 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TSDSON-8-FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRF5210PBF
BSZ0804LSATMA1
NVHL020N090SC1
NVHL020N090SC1
$0 $/pedaço
BSP615S2L
BSP615S2L
$0 $/pedaço
SI8817DB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1
$0 $/pedaço
AUIRFS8407-7P
STB16N90K5
STB16N90K5
$0 $/pedaço
SIHP6N80E-GE3
SIHP6N80E-GE3
$0 $/pedaço

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