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SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB

compliant

SIHP6N80E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.68000 $2.68
10 $2.42400 $24.24
100 $1.94780 $194.78
500 $1.51498 $757.49
1,000 $1.25527 -
2,500 $1.16870 -
5,000 $1.12541 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 827 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

UF3SC120040B7S
UF3SC120040B7S
$0 $/pedaço
NXV40UNR
NXV40UNR
$0 $/pedaço
FDC640P
FDC640P
$0 $/pedaço
RM4N700S4
RM4N700S4
$0 $/pedaço
FDU6612A
IPW60R099P6XKSA1
NTD6415ANLT4G
NTD6415ANLT4G
$0 $/pedaço
IPN80R750P7ATMA1

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