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BSP171PE6327T

BSP171PE6327T

BSP171PE6327T

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

compliant

BSP171PE6327T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 460µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 460 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-SOT223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

IRF3706STRR
IRFR024
IRFR024
$0 $/pedaço
IRF6678TR1
FDD5N50UTM-WS
FDD5N50UTM-WS
$0 $/pedaço
STP3HNK90Z
STP3HNK90Z
$0 $/pedaço
BSS123LT3G
BSS123LT3G
$0 $/pedaço
PMF63UNE115
PMF63UNE115
$0 $/pedaço
IRL3103D2STRL
SPD15P10PG

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