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BSS123LT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

não conforme

BSS123LT3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 20 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 225mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

PMF63UNE115
PMF63UNE115
$0 $/pedaço
IRL3103D2STRL
SPD15P10PG
IRF3707STRR
IRFR9120NPBF
SUM40N10-30-E3
SUM40N10-30-E3
$0 $/pedaço
FDV302P_D87Z
FDV302P_D87Z
$0 $/pedaço
STI42N65M5
STI42N65M5
$0 $/pedaço
IPA60R520E6XKSA1
IRF737LCSTRL
IRF737LCSTRL
$0 $/pedaço

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