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BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON

compliant

BSC0906NSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.24131 -
10,000 $0.23238 -
25,000 $0.22750 -
11253 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 63A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-6
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRFZ44ZSTRRPBF
IXTY48P05T
IXTY48P05T
$0 $/pedaço
STL260N4F7
STL260N4F7
$0 $/pedaço
ISL9N318AD3ST
FCH170N60
NVD6414ANT4G-VF01
NVD6414ANT4G-VF01
$0 $/pedaço
BUK964R4-40B,118

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