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ISL9N318AD3ST

ISL9N318AD3ST

ISL9N318AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

ISL9N318AD3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
7500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 900 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FCH170N60
NVD6414ANT4G-VF01
NVD6414ANT4G-VF01
$0 $/pedaço
BUK964R4-40B,118
IXFT52N50P2
IXFT52N50P2
$0 $/pedaço
IPL60R299CPAUMA1
BUK9M11-40EX
BUK9M11-40EX
$0 $/pedaço

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