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AOI9N50

AOI9N50

AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

AOI9N50 Ficha de dados

compliant

AOI9N50 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,500 $0.44550 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 860mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1160 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 178W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251A
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IPL60R299CPAUMA1
BUK9M11-40EX
BUK9M11-40EX
$0 $/pedaço
SIHH080N60E-T1-GE3
P3M12025K4
IRF100P219AKMA1
IRFIBC30GPBF
IRFIBC30GPBF
$0 $/pedaço
SISS72DN-T1-GE3
FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109
$0 $/pedaço

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