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GT52N10T

GT52N10T

GT52N10T

N100V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<15M

compliant

GT52N10T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
38 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2626 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG
$0 $/pedaço
IPP60R280E6XKSA1
BUK7Y53-100B,115
NTMFS4839NT1G
NTMFS4839NT1G
$0 $/pedaço
FDMC8622
FDMC8622
$0 $/pedaço
BUK763R9-60E,118
PMV20ENR
PMV20ENR
$0 $/pedaço
STL100N10F7
STL100N10F7
$0 $/pedaço

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