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FDMC8622

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP

não conforme

FDMC8622 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.61600 -
6,000 $0.58520 -
15,000 $0.56320 -
60609 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta), 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 56mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 402 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-MLP (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

BUK763R9-60E,118
PMV20ENR
PMV20ENR
$0 $/pedaço
STL100N10F7
STL100N10F7
$0 $/pedaço
BUK7Y2R0-40HX
BUK7Y2R0-40HX
$0 $/pedaço
IRLIZ34GPBF
IRLIZ34GPBF
$0 $/pedaço
XP234N0801TR-G
SQA401EEJ-T1_GE3

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