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G12P10K

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P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

G12P10K Ficha de dados

compliant

G12P10K Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.74000 $0.74
500 $0.7326 $366.3
1000 $0.7252 $725.2
1500 $0.7178 $1076.7
2000 $0.7104 $1420.8
2500 $0.703 $1757.5
2468 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1720 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPP90R800C3XKSA2
NVMYS2D4N04CTWG
NVMYS2D4N04CTWG
$0 $/pedaço
BUK654R0-75C,127
BUK654R0-75C,127
$0 $/pedaço
IXFP26N50P3
IXFP26N50P3
$0 $/pedaço
RM70P40LD
RM70P40LD
$0 $/pedaço
CSD17552Q5A
CSD17552Q5A
$0 $/pedaço
TPH3206PD
TPH3206PD
$0 $/pedaço

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