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TSM60NB190CM2 RNG

TSM60NB190CM2 RNG

TSM60NB190CM2 RNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

não conforme

TSM60NB190CM2 RNG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.49010 $1192.08
1,600 $1.36749 -
2,400 $1.32034 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1273 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

BUK654R0-75C,127
BUK654R0-75C,127
$0 $/pedaço
IXFP26N50P3
IXFP26N50P3
$0 $/pedaço
RM70P40LD
RM70P40LD
$0 $/pedaço
CSD17552Q5A
CSD17552Q5A
$0 $/pedaço
TPH3206PD
TPH3206PD
$0 $/pedaço
ZVNL110A
ZVNL110A
$0 $/pedaço
SI7461DP-T1-GE3
SCT4026DRC15
SCT4026DRC15
$0 $/pedaço

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