Welcome to ichome.com!

logo
Lar

G110N06T

G110N06T

G110N06T

N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

não conforme

G110N06T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
100 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5538 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.