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SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

não conforme

SIHP21N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.81000 $4.81
10 $4.29600 $42.96
100 $3.52230 $352.23
500 $2.85222 $1426.11
1,000 $2.40548 -
3,000 $2.28521 -
993 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1388 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 32W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FW905-TL-E
FW905-TL-E
$0 $/pedaço
SI3127DV-T1-GE3
IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
$0 $/pedaço
PSMN4R8-100PSEQ
SI6415DQ-T1-E3
SI6415DQ-T1-E3
$0 $/pedaço
STP25N10F7
STP25N10F7
$0 $/pedaço
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
$0 $/pedaço
2N7002Q-7-F
2N7002Q-7-F
$0 $/pedaço

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