Welcome to ichome.com!

logo
Lar

EPC8009

EPC8009

EPC8009

EPC

GANFET N-CH 65V 4A DIE

EPC8009 Ficha de dados

compliant

EPC8009 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $2.52000 -
14161 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
tensão de dreno para fonte (vdss) 65 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 500mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.45 nC @ 5 V
vgs (máx.) +6V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 52 pF @ 32.5 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Die
pacote / caixa Die
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

RUF015N02TL
RUF015N02TL
$0 $/pedaço
NTE2932
NTE2932
$0 $/pedaço
FDPF12N50UT
FDPF12N50UT
$0 $/pedaço
APT30M36JFLL
DMP3015LSS-13
IPP50R250CPXKSA1
NTMTS0D7N06CLTXG
NTMTS0D7N06CLTXG
$0 $/pedaço
IXTT16N10D2
IXTT16N10D2
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.