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IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 16A TO268

compliant

IXTT16N10D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $9.30700 $279.21
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 64mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 225 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5700 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 830W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

SIHB35N60EF-GE3
IRF9Z20PBF
IRF9Z20PBF
$0 $/pedaço
IXTK170P10P
IXTK170P10P
$0 $/pedaço
MTD6N20E1
MTD6N20E1
$0 $/pedaço
R6050JNZ4C13
R6050JNZ4C13
$0 $/pedaço
IRLH5034TRPBF

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