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DI020N06D1

DI020N06D1

DI020N06D1

MOSFET N-CH 60V 20A TO252-3 DPAK

não conforme

DI020N06D1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.31330 $0.3133
500 $0.310167 $155.0835
1000 $0.307034 $307.034
1500 $0.303901 $455.8515
2000 $0.300768 $601.536
2500 $0.297635 $744.0875
2500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 590 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3, DPak
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

APT6015LVFRG
FQA8N90C
SIA4371EDJ-T1-GE3
NVTFWS002N04CTAG
NVTFWS002N04CTAG
$0 $/pedaço
IXFT36N60P
IXFT36N60P
$0 $/pedaço

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